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AS8SLC512K32Q-12L/883C

更新时间： 2024-02-16 11:17:19

品牌	Logo	应用领域
MICROSS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	186K
描述
SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

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AS8SLC512K32Q-12L/883C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFP, QFP68,.99SQ,50	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.54
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQFP-G68	JESD-609代码：	e0
长度：	22.352 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP68,.99SQ,50
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class C	座面最大高度：	4.9784 mm
最大待机电流：	0.036 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	22.352 mm
Base Number Matches：	1

SRAM

AS8SLC512K32

WRITE CYCLE NO. 1

(Chip Select Controlled)

ADDRESS

CS\

WP2¹

WE\

DATA VALID

DATA I/O

WRITE CYCLE NO. 2

(Write Enable Controlled)

ADDRESS

CS\

WP1¹

WE\

LZ-

HZWE

DATA VALID

DATA I/O

NOTES

1. All voltages referenced to V_SS(GND).

Micross Components reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

AS8SLC512K32

Rev. 2.6 01/10

1...4 5 678 9 10...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS8SLC512K32Q-12L/IT	MICROSS	SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	获取价格
AS8SLC512K32Q-12L/IT	AUSTIN	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM	获取价格
AS8SLC512K32Q-12L/XT	AUSTIN	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM	获取价格
AS8SLC512K32Q-12L/XT	MICROSS	SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	获取价格
AS8SLC512K32Q-15/883C	MICROSS	SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	获取价格
AS8SLC512K32Q-15/IT	MICROSS	SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68	获取价格