Datasheet > AS8SLC512K32Q-17L/883C

AS8SLC512K32Q-17L/883C

更新时间： 2024-11-19 06:37:59

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AUSTIN		存储内存集成电路静态存储器
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12页	232K
描述
512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

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AS8SLC512K32Q-17L/883C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFP, QFP68,.99SQ,50	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.54
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	17 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQFP-G68
JESD-609代码：	e0	长度：	22.352 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP68,.99SQ,50	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883 Class C
座面最大高度：	4.9784 mm	最大待机电流：	0.036 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	22.352 mm	Base Number Matches：	1

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SRAM

AS8SLC512K32

Austin Semiconductor, Inc.

512K x 32 SRAM

SRAM Memory Array MCM

PIN ASSIGNMENT

(TopView)

68 Lead CQFP (Q & Q1)

FEATURES

•

Fast access times: 10, 12, 15, 17 and 20ns

Fast OE\ access times: 6ns

Ultra-low operating power < 1W worst case

Single +3.3V 0.3V power supply

Fully static -- no clock or timing strobes necessary

All inputs and outputs are TTL-compatible

Easy memory expansion with CE\ and OE\ options

Automatic CE\ power down

68 67 66 65 64 63 62 61

I/O 16

I/O 17

I/O 18

I/O 19

I/O 20

I/O 21

I/O 22

I/O 23

GND

I/O 0

I/O 1

I/O 2

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

GND

I/O 8

I/O 24

I/O 25

I/O 26

I/O 27

I/O 28

I/O 29

I/O 30

I/O 31

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

High-performance, low-power consumption, CMOS

27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43

OPTIONS

MARKINGS

•

Timing

10ns

12ns

15ns

17ns

20ns

66 Lead PGA (P)

-10

-12

-15

-17

-20

C S

•

Package

Ceramic Quad Flatpack

Ceramic Quad Flatpak(.054min SO) Q1

Pin Grid Array

No. 702

No.904

C S

•

Operating Temperature Ranges

Military (-55^oC to +125^oC)

Industrial (-40^oC to +85^oC)

C S

2V data retention/low power

GENERAL DESCRIPTION

The Austin Semiconductor, Inc. AS8SLC512K32 is a 3.3V

16 Megabit CMOS SRAM Module organized as 512Kx32 bits. The

AS8SLC512K32 achieves very high speed access, low power

consumption and high reliability by employing advanced CMOS

memory technology.

This military temperature grade product is ideally suited for

commercial, industrial, and military applications when asynchronous high

speed switching and low ACTIVE opening power & ultra Fast Asyn-

chronous Access is mandated.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

BLOCK DIAGRAM

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS8SLC512K32

Rev. 2.5 5/09

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS8SLC512K32Q-17L/IT	AUSTIN	获取价格	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM
AS8SLC512K32Q-17L/XT	AUSTIN	获取价格	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM
AS8SLC512K32Q-17L/XT	MICROSS	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
AS8SLC512K32Q-20/883C	MICROSS	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
AS8SLC512K32Q-20/IT	MICROSS	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
AS8SLC512K32Q-20/XT	MICROSS	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
AS8SLC512K32Q-20L/883C	AUSTIN	获取价格	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM
AS8SLC512K32Q-20L/IT	AUSTIN	获取价格	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM
AS8SLC512K32Q-20L/IT	MICROSS	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
AS8SLC512K32Q-20L/XT	AUSTIN	获取价格	512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

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