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AS7E128K32P-15XT

更新时间： 2024-02-18 15:11:14

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MICROSS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	190K
描述
EEPROM Module, 128KX32, 150ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.090 X 1.090 INCH, CERAMIC, PGA-66

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AS7E128K32P-15XT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	PGA
包装说明：	1.090 X 1.090 INCH, CERAMIC, PGA-66	针数：	66
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.27
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度：	16	JESD-30 代码：	S-CPGA-P66
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EEPROM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	8.382 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

AS7E128K32P-15XT 数据手册

AS7E128K32

128K x 32 EEPROM

AUSTIN SEMICONDUCTOR, INC.

AC Write Characteristics

Parameter

Symbol

t_AS, t_OES

t_AH

Min

Max

Units

Address, OE Set-up time

Address Hold Time

Chip Select Set-up Time

Chip Select Hold Time

Write Pulse Width (WE or CE

Data Set-up Time

t_CS

t_CH

t_WP

100

t_DS

Data, OE Hold Time

t_OH, t_OEH

AC Write Wave Forms -WE Controlled

t_OES

t_OEH

O E

ADDRESS

t_CH

t_AS

t_AH

OCE

t_CS

WO E

t_WPH

t_DH

t_DS

t_WP

DATA IN

AC Write Wave Forms - CE Controlled

t_OES

t_OEH

O E

ADDRESS

t_CH

t_AS

t_AH

WO E

OCE

t_CS

t_WPH

t_DH

t_DS

t_WP

DATA IN

AS7E128K32

REV. 1/98

DS000034

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

7-29

1 2 3 456 7 8 9

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