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AS7C33512PFS32A-225TQI PDF预览

AS7C33512PFS32A-225TQI

更新时间： 2024-01-06 21:26:43
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 463K
描述
Standard SRAM, 512KX32, 6.9ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C33512PFS32A-225TQI 数据手册

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AS7C33512PFS32A  
AS7C33512PFS36A  
®
Burst sequence table  
Interleaved burst address  
A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0  
Linear burst address  
A1 A0 A1 A0 A1 A0 A1 A0  
1st Address  
2nd Address  
3rd Address  
4th Address  
0 0  
0 1  
1 0  
1 1  
0 1  
0 0  
1 1  
1 0  
1 0  
1 1  
0 0  
0 1  
1 1  
1 0  
0 1  
0 0  
1st Address  
2nd Address  
3rd Address  
4th Address  
0 0  
0 1  
1 0  
1 1  
0 1  
1 0  
1 1  
1 0  
1 0  
1 1  
0 0  
0 1  
1 1  
0 0  
0 1  
1 0  
Synchronous truth table  
2
CE01  
CE1  
CE2 ADSP ADSC ADV BWn  
OE Address accessed  
CLK  
Operation  
DQ  
H
L
X
L
X
X
X
H
H
L
X
L
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
X
F
X
X
X
X
X
L
NA  
NA  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
Lto H  
Lto H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
Lto H  
L to H  
Lto H  
Deselect  
Deselect  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z3  
Hi−Z  
Hi−Z3  
Hi−Z  
Q
L
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
L
NA  
Deselect  
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
L
External  
External  
External  
External  
Next  
Begin read  
L
L
L
H
L
Begin read  
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
H
X
Begin read  
L
L
L
F
H
L
Begin read  
X
X
X
X
H
H
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
F
Continue read  
Continue read  
Suspend read  
Suspend read  
Continue read  
Continue read  
Suspend read  
Suspend read  
Begin write  
Continue write  
Continue write  
Suspend write  
Suspend write  
L
F
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
L
F
Current  
Current  
Next  
F
H
L
Hi−Z  
Q
F
L
F
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
X
L
F
Current  
Current  
External  
Next  
F
H
X
X
X
X
X
Hi−Z  
D4  
T
T
T
T
T
X
H
X
H
X
X
X
X
H
H
H
H
D
L
Next  
D
H
H
Current  
Current  
D
D
1 X = don’t care, L = low, H = high  
2 See "Write enable truth table (per byte)," on page 4 for more information.  
3 Q in flow-through mode.  
4 For write operation following a READ, OE must be high before the input data set up time and held high throughout the input hold time  
12/ 2/ 02, v. 0.9.8 Advance Info  
Alliance Semiconductor  
5 of 21  
12345678...21

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与AS7C33512PFS32A-225TQI相关器件

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AS7C33512PFS32A-250BC ALSC Standard SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

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AS7C33512PFS32A-250TQC ALSC Standard SRAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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