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AS7C33256PFS36A-150BI

更新时间： 2024-02-09 18:28:02
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 384K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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AS7C33256PFS36A-150BI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.63
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端子数量：119字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.7 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

AS7C33256PFS36A-150BI 数据手册

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AS7C33256PFS32A  
AS7C33256PFS36A  
®
TQFP thermal resistance  
Description  
Conditions  
Symbol  
Ty pi c a l  
40  
Units  
°C/W  
°C/W  
1–layer  
4–layer  
θ
Thermal resistance  
JA  
Test conditions follow standard test methods  
and procedures for measuring thermal  
impedance, per EIA/JESD51  
(junction to ambient)1  
θ
22  
JA  
JC  
Thermal resistance  
θ
8
°C/W  
(junction to top of case)1  
1 This parameter is sampled.  
DC electrical characteristics  
–166  
–150  
–133  
–100  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
VDD = Max, VIN = GND to VDD  
OE ≥ VIH, VDD = Max,  
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit  
Input leakage  
current1  
|ILI|  
–
–
–
2
2
–
–
–
2
2
–
–
–
2
2
–
–
–
2
2
µA  
µA  
Output leakage  
current  
|ILO  
|
VOUT = GND to VDD  
2
Operating power  
supply current  
ICC  
CE0 = VIL, CE1 = VIH, CE2 = VIL,  
f = fMax, IOUT = 0 mA  
475  
450  
425  
325 mA  
(Pipelined)  
2
ICC  
Operating power  
supply current  
CE0 = VIL, CE1 = VIH, CE2 = VIL,  
f = fMax, IOUT = 0 mA  
–
325  
–
325  
–
300  
–
300 mA  
90  
(Flow-  
through)  
ISB  
Deselected, f = fMax, ZZ ≤ VIL  
–
–
130  
30  
–
–
110  
30  
–
–
100  
30  
–
–
Deselected, f = 0, ZZ ≤ 0.2V  
all VIN ≤ 0.2V or ≥ VDD – 0.2V  
Standby power  
supply current  
ISB1  
30  
mA  
Deselected, f = f , ZZ  
≥
V
– 0.2V  
Max  
DD  
ISB2  
–
30  
–
30  
–
30  
–
30  
All VIN ≤ VIL or ≥ VIH  
VOL  
IOL = 8 mA, VDDQ = 3.465V  
IOH = –4 mA, VDDQ = 3.135V  
–
0.4  
–
–
0.4  
–
–
0.4  
–
–
0.4  
V
Output voltage  
VOH  
2.4  
2.4  
2.4  
2.4  
–
1 LBO pin has an internal pull-up and input leakage = 10 µA.  
2 I given with no output loading. I increases with faster cycles times and greater output loading.  
CC  
CC  
DC electrical characteristics for 2.5V I/O operation  
–166  
–150  
–133  
–100  
Parameter  
Symbol  
|ILO  
Test conditions  
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit  
Output leakage  
current  
OE ≥ VIH, VDD = Max,  
VOUT = GND to VDD  
|
–1  
1
–1  
1
–1  
1
–1  
1
µA  
V
VOL  
IOL = 2 mA, VDDQ = 2.65V  
IOH = –2 mA, VDDQ = 2.35V  
–
0.7  
–
–
0.7  
–
–
0.7  
–
–
0.7  
–
Output voltage  
VOH  
1.7  
1.7  
1.7  
1.7  
4/15/02; v.1.9  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 14  
1...45678910...14

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AS7C33256PFS36A-150TQCN ALSC Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

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