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AS7C33256PFS36A-150BI PDF预览

AS7C33256PFS36A-150BI

更新时间： 2024-02-11 18:58:50
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 384K
描述
Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PBGA119, 14 X 20 MM, BGA-119

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AS7C33256PFS36A-150BI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA,针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.63
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：36功能数量：1
端子数量：119字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX36封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.7 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

AS7C33256PFS36A-150BI 数据手册

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AS7C33256PFS32A  
AS7C33256PFS36A  
®
Synchronous truth table  
1
CE0  
H
L
CE1  
X
L
CE2 ADSP ADSC ADV WEn  
OE Address accessed  
CLK  
Operation  
Deselect  
DQ  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z  
Hi−Z2  
Hi−Z  
Hi−Z2  
Hi−Z  
Q
X
X
X
H
H
L
X
L
L
X
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
X
F
X
X
X
X
X
L
NA  
NA  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
L to H  
Deselect  
L
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
X
L
NA  
Deselect  
L
H
L
NA  
Deselect  
L
X
X
L
External  
External  
External  
External  
Next  
Begin read  
Begin read  
Begin read  
Begin read  
Cont. read  
Cont. read  
Suspend read  
Suspend read  
Cont. read  
Cont. read  
Suspend read  
Suspend read  
Begin write  
Cont. write  
Cont. write  
Suspend write  
Suspend write  
L
L
L
H
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
H
H
X
H
X
L
L
L
F
H
L
X
X
X
X
H
H
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
F
L
F
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
L
F
Current  
Current  
Next  
F
H
L
Hi−Z  
Q
F
L
F
H
L
Next  
Hi−Z  
Q
H
H
X
L
F
Current  
Current  
External  
Next  
F
H
X
X
X
X
X
Hi−Z  
D3  
T
T
T
T
T
X
H
X
H
X
X
X
X
H
H
H
H
D
L
Next  
D
H
H
Current  
Current  
D
D
1 See “Write enable truth table” on page 4 for more information.  
2 Q in flow through mode.  
3 For WRITE operation following a READ, OE must be HIGH before the input data set up time and held HIGH throughout the input hold time.  
Key: X = Don’t Care, L = Low, H = High.  
Recommended operating conditions  
Parameter  
Symbol  
VDD  
VSS  
Min  
3.135  
0.0  
Nominal  
Max  
3.465  
0.0  
Unit  
3.3  
0.0  
3.3  
0.0  
2.5  
0.0  
–
Supply voltage  
V
VDDQ  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
VIH  
3.135  
0.0  
3.465  
0.0  
3.3V I/O supply voltage  
2.5V I/O supply voltage  
V
V
V
2.35  
0.0  
2.9  
0.0  
2.0  
–0.52  
VDD + 0.3  
0.8  
Address and  
control pins  
VIL  
–
Input voltages1  
VIH  
2.0  
–
VDDQ + 0.3  
0.8  
I/O pins  
V
VIL  
–0.52  
0
–
Ambient operating temperature  
TA  
–
70  
°C  
1 Input voltage ranges apply to 3.3V I/O operation. For 2.5V I/O operation, contact factory for input specifications.  
2 V min = –2.0V for pulse width less than 0.2 × t  
IL  
.
RC  
4/15/02; v.1.9  
Alliance Semiconductor  
P. 6 of 14  
1...3456789...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS7C33256PFS36A-150TQCN ALSC Standard SRAM, 256KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100

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