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AS7C33256PFS32A-166TQC PDF预览

AS7C33256PFS32A-166TQC

更新时间： 2024-01-03 11:54:16
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 528K
描述
3.3V 256K x 32/36 pipelined burst synchronous SRAM

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AS7C33256PFS32A-166TQC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP,
针数：100Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.35最长访问时间：9 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3长度：20 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：100字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

AS7C33256PFS32A-166TQC 数据手册

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AS7C33256PFS32A  
AS7C33256PFS36A  
®
DC electrical characteristics for 3.3V I/O operation  
Parameter  
Input leakage current1  
Output leakage current  
Sym  
|ILI|  
Conditions  
VDD = Max, 0V < VIN < VDD  
OE ≥ VIH, VDD = Max, 0V < VOUT < VDDQ  
Address and control pins  
I/O pins  
Min  
-2  
Max  
Unit  
µA  
2
|ILO  
|
-2  
2*  
2*  
-0.3**  
-0.5**  
2.4  
–
2
VDD+0.3  
VDDQ+0.3  
0.8  
µA  
Input high (logic 1) voltage  
Input low (logic 0) voltage  
VIH  
V
V
Address and control pins  
I/O pins  
VIL  
0.8  
Output high voltage  
Output low voltage  
VOH  
VOL  
IOH = –4 mA, VDDQ = 3.135V  
IOL = 8 mA, VDDQ = 3.465V  
–
V
V
0.4  
1 LBO, and ZZ pins have an internal pull-up or pull-down, and input leakage = ±10 µA.  
DC electrical characteristics for 2.5V I/O operation  
Parameter  
Input leakage current  
Output leakage current  
Sym  
|ILI|  
Conditions  
VDD = Max, 0V < VIN < VDD  
OE ≥ VIH, VDD = Max, 0V < VOUT < VDDQ  
Address and control pins  
I/O pins  
Min  
-2  
Max  
Unit  
2
µA  
µA  
V
|ILO  
|
-2  
2
VDD+0.3  
VDDQ+0.3  
0.7  
1.7*  
1.7*  
-0.3**  
-0.3**  
1.7  
Input high (logic 1) voltage  
Input low (logic 0) voltage  
VIH  
V
Address and control pins  
I/O pins  
V
VIL  
0.7  
V
Output high voltage  
Output low voltage  
VOH  
VOL  
IOH = –4 mA, VDDQ = 2.375V  
IOL = 8 mA, VDDQ = 2.625V  
–
V
–
0.7  
V
*VIH max < VDD +1.5V for pulse width less than 0.2 X tCYC  
**  
V
min = -1.5 for pulse width less than 0.2 X tCYC  
IL  
I
operating conditions and maximum limits  
DD  
Parameter  
Sym  
Conditions  
-166  
-133  
Unit  
CE0 < VIL, CE1 > VIH, CE2 < VIL, f = fMax  
,
Operating power supply current1  
ICC  
475  
130  
425  
mA  
IOUT = 0 mA, ZZ < VIL  
All VIN ≤ 0.2V or >  
V
– 0.2V, Deselected,  
DD  
ISB  
100  
f = fMax, ZZ < VIL  
Deselected, f = 0, ZZ < 0.2V,  
all VIN ≤ 0.2V or ≥ VDD – 0.2V  
Standby power supply current  
mA  
ISB1  
ISB2  
30  
30  
30  
30  
Deselected, f = f , ZZ  
≥
V
– 0.2V,  
Max  
DD  
all VIN ≤ VIL or ≥ VIH  
1 I given with no output loading. I increases with faster cycle times and greater output loading.  
CC  
CC  
11/30/04, v.3.1  
Alliance Semiconductor  
P. 9 of 20  
1...6789101112...20

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STM32F103C8T6 替代型号

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