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AS7C31024-15TJC

更新时间： 2024-01-25 09:43:55

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器
页数	文件大小	规格书
9页	199K
描述
5V/3.3V 128K x 8 CMOS SRAM (Evolutionary Pinout)

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技术参数
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AS7C31024-15TJC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.3
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.72	最长访问时间：	15 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.0005 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AS7C31024-15TJC 数据手册

AS7C1024

AS7C31024

Write cycle (over the operating range)

-10

-12

-15

-20

Parameter

Write cycle time

Symbol Min Max Min Max Min Max Min Max Unit

Notes

t_WC

t_CW1

t_CW2

t_AW

t_AS

–

Chip enable (CE1) to write end

Chip enable (CE2) to write end

Address setup to write end

Address setup time

Write pulse width

t_WP

t_AH

t_DW

t_DH

t_WZ

t_OW

Address hold from end of write

Data valid to write end

Data hold time

4, 5

Write enable to output in high Z

Output active from write end

Shaded areas contain advance information.

–

Write waveform 1 ( WE controlled)

Address

Data valid

OUT

Write waveform 2 (CE1 and CE2 controlled)

Address

, t

CW1 CW2

CE1

CE2

Data valid

OUT

11/ 29/ 00

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

1 2 3 456 7 8 9

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