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AS7C251MPFS18A-225BC

更新时间： 2024-12-01 03:12:19

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	410K
描述
Standard SRAM, 1MX18, 6.9ns, CMOS, PBGA165, BGA-165

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December 2002

Advance Information

AS7C251MPFS18A

2.5V 1M x 18 pipelined burst synchronous SRAM

Features

• Organization: 1,048,576 x18 bits

• Asynchronous output enable control

• Fast clock speeds to 250MHz in LVTTL/ LVCMOS

• Fast clock to data access: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns

• Fast OEaccess time: 2.6/ 2.8/ 3/ 3.4 ns

• Fully synchronous register-to-register operation

• Single register flow-through mode

• Available 100-pin TQFP and 165-ball BGA packages

• Byte write enables

• Multiple chip enables for easy expansion

• 2.5V core power supply

• NTD™ pipelined architecture available (AS7C251MNTD18A,

AS7C25512NTD32A/ AS7C25512NTD36A)

• Single-cycle deselect

Logic block diagram

LBO

CLK

ADV

CLK

CLR

ADSC

ADSP

Burst logic

20 18

1M ꢀ 18

Memory

array

Addres^Qs

A[19:0]

CLK

GWE

DQb

Byte Write

registers

BWE

CLK

DQa

Byte Write

CLK

registers

CE0

CE1

CE2

^DEnable^Q

Input

Output

registers

CLK

^DEnable^Q

Power

down

delay

CLK

DQ[a,b]

Selection guide

-250

-225

-200

-166

Units

Minimum cycle time

4.4

225

2.8

400

110

Maximum clock frequency

250

2.6

425

110

200

3.0

370

110

166

3.4

340

MHz

Maximum pipelined clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

Maximum CMOS standby current (DC)

12/ 2/ 02, v. 0.9.2 Advance Info

Alliance Semiconductor

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