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AS6UA5128-70BI

更新时间: 2024-02-07 17:15:30
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 118K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36

AS6UA5128-70BI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA,
针数:36Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B36长度:11 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7 mmBase Number Matches:1

AS6UA5128-70BI 数据手册

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AS6UA5128  
®
Typical DC and AC characteristics  
Normalized supply current  
vs. supply voltage  
1.4  
Normalized access time  
vs. supply voltage  
Normalized standby current  
vs. ambient temperature  
1.0  
3.0  
2.5  
2.0  
1.2  
1.0  
0.8  
V
V
= V typ  
CC  
CC  
IN  
0.75  
0.5  
= V typ  
CC  
1.5  
1.0  
0.5  
T = 25 C  
°
A
V
= V typ  
CC  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
IN  
T = 25  
°
C
A
0.0  
0.25  
0.0  
–0.5  
1.7  
2.2  
2.7  
3.2  
3.7  
1.7  
2.2  
2.7  
3.2  
3.7  
–55  
25  
105  
Supply voltage (V)  
Supply Voltage (V)  
Ambient temperature (°C)  
Normalized standby current  
vs. supply voltage  
Normalized I  
CC  
vs. Cycle Time  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
1.5  
1.0  
I
SB2  
V
= 3.6V  
IN  
T = 25  
°
C
A
0.50  
0.10  
V
= V typ  
CC  
IN  
T = 25  
°
C
A
1
5
10  
15  
2.8  
1
1.9  
3.7  
Supply voltage (V)  
Supply voltage (V)  
5/25/01; v.1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 9  

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