5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | DFP, | 针数： | 36 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.03 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | R-CDFP-F36 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 23.368 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DFP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class C | 座面最大高度： | 3.175 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 12.954 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS5C512K8F-35/H | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |
|
| AS5C512K8F-35/IT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8F-35/XT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8F-35E/883C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8F-35E/IT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8F-35E/XT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8F-35L | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |
|
| AS5C512K8F-35L | MICROSS |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36 |
|
| AS5C512K8F-35L/883C | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |
|
| AS5C512K8F-35L/H | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
