是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ36,.44 | 针数: | 36 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.03 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDSO-J36 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 23.4823 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 36 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ36,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.064 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.3538 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS5C512K8ECJ-25/XT | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-25E/883C | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8ECJ-25E/IT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-25E/XT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-25L | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-25L | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-25L/883C | ETC |
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x8 SRAM | |
AS5C512K8ECJ-25L/H | AUSTIN |
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512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT | |
AS5C512K8ECJ-25L/IT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, LEAD FREE, CERAMIC, SOJ-36 | |
AS5C512K8ECJ-25L/XT | MICROSS |
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Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDSO36, LEAD FREE, CERAMIC, SOJ-36 |