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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, SOJ36,.44 | 针数： | 36 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.17 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 45 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J36 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 23.495 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 36 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ36,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 3.79 mm |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS5C512K8DJ-45LE/883C | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8DJ-45LE/IT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8DJ-45LE/XT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8DJECJ-12 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8DJECJ-15 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8DJECJ-17 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8DJECJ-20 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| AS5C512K8EC | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |
|
| AS5C512K8EC-12/H | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT |
|
| AS5C512K8EC-12/IT | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
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