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AS5C512K8DJ-25L/XT

更新时间： 2024-10-28 06:37:55

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AUSTIN		静态存储器
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17页	229K
描述
512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT

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AS5C512K8DJ-25L/XT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ36,.44	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.17
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J36	JESD-609代码：	e3
长度：	23.495 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ36,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.79 mm	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

AS5C512K8DJ-25L/XT 数据手册

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SRAM

AS5C512K8

Austin Semiconductor, Inc.

PIN ASSIGNMENT

512K x 8 SRAM

HIGH SPEED SRAM with

(Top View)

REVOLUTIONARY PINOUT

36-Pin SOJ (DJ, ECJ & SOJ)

36-Pin CLCC (EC)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

•SMD 5962-95600

•SMD 5962-95613

•MIL-STD-883

FEATURES

• Ultra High Speed Asynchronous Operation

• Fully Static, No Clocks

• Multiple center power and ground pins for improved

noise immunity

• Easy memory expansion with CE\ and OE\

options

• All inputs and outputs are TTL-compatible

• Single +5V Power Supply +/- 10%

• Data Retention Functionality Testing

• Cost Efficient Plastic Packaging

• Extended Testing Over -55ºC to +125ºC for plastics

• Plastic 36 pin PSOJ is fully compatible with the

Ceramic 36 pin SOJ and offered in lead free finish

• 3.3V Future Offering

36-Pin Flat Pack (F)

OPTIONS

• Timing

MARKING

12ns access

15ns access

17ns access

20ns access

25ns access

35ns access

45ns access

-12

-15

-17

-20

-25

-35

-45

• Operating Temperature Ranges

Full Military (-55^oC to +125^oC)

Military (-55^oC to +125^oC)

Industrial (-40^oC to +85^oC)

/883C

GENERAL DESCRIPTION

The AS5C512K8 is a high speed SRAM. It offers flexibility in

high-speed memory applications, with chip enable (CE\) and output

enable (OE\) capabilities. These features can place the outputs in

High-Z for additional flexibility in system design.

• Package(s)

Ceramic LCC

Ceramic Flatpack

Plastic SOJ (Lead Free)*

Ceramic SOJ (attached formed lead) ECJ

Ceramic SOJ SOJ

* Pb finish also available, contact factory

Writing to these devices is accomplished when write enable (WE\)

and CE\ inputs are both LOW. Reading is accomplished when WE\

remains HIGH and CE\ and OE\ go LOW.

As a option, the device can be supplied offering a reduced power

standby mode, allowing system designers to meet low standby power

requirements. This device operates from a single +5V power supply

and all inputs and outputs are fully TTL-compatible.

• 2V data retention/low power

The AS5C512K8DJ offers the convenience and reliability of the

AS5C512K8 SRAM and has the cost advantage of a durable plastic.

The AS5C512K8DJ is footprint compatible with 36 pin CSOJ

package of the SMD 5692-95600.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS5C512K8

Rev. 7.0 05/08

12 3 4 5 6 7...17

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AS5C512K8DJ-25LE/IT	ETC	获取价格	x8 SRAM
AS5C512K8DJ-25LE/XT	ETC	获取价格	x8 SRAM
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AS5C512K8DJ-30/IT	MICROSS	获取价格	SRAM,
AS5C512K8DJ-30/XT	MICROSS	获取价格	SRAM,
AS5C512K8DJ-30L/IT	AUSTIN	获取价格	512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT
AS5C512K8DJ-30L/XT	AUSTIN	获取价格	512K x 8 SRAM HIGH SPEED SRAM with REVOLUTIONARY PINOUT
AS5C512K8DJ-30L/XT	MICROSS	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 30ns, CMOS, PDSO36, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-36
AS5C512K8DJ-30LE/883C	MICROSS	获取价格	SRAM

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