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AS4SD32M16DGC-75/ET

更新时间： 2024-09-28 06:37:51

品牌	Logo	应用领域
AUSTIN		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
52页	1936K
描述
512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory

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AS4SD32M16DGC-75/ET 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.19
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-45 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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SDRAM

AS4SD32M16

Austin Semiconductor, Inc.

512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM

Synchronous DRAM Memory

PIN ASSIGNMENT

(TopView)

54-Pin TSOP

FEATURES

• Full Military temp (-55°C to 125°C) processing available

• Configuration: 32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)

• Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

• Internal pipelined operation; column address can be

changed every clock cycle

• Internal banks for hiding row access/precharge

• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page

• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO

PRECHARGE and Auto Refresh Modes

• Self Refresh Mode (IT)

• 64ms, 8,192-cycle refresh (IT)

• <24ms 8,192 cycle refresh (XT)

• WRITE Recovery (t_WR= “2 CLK”)

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Single +3.3V ±±.3V power supply

OPTIONS

MARKING

•

Plastic Package - OCPL*

Copper Lead-Frame (Cu)

DGC

•

Timing (Cycle Time)

7.5ns @ CL = 3 (PC133) or

7.5ns @ CL = 2 (PC1±±)

-75

32 Meg x 16

Configuration

8 Meg x 16 x 4 banks

Refresh Count

Operating Temperature Ranges

-Industrial Temp (-4±°C to 85° C)

-Industrial Plus Temp (-45°C to +1±5°C) ET

Row Addressing

Bank Addressing

Column Addressing

8K (A0-A12)

4 (BA0, BA1)

1024 (A0-A9)

-Military Temp (-55°C to 125°C)

Note: “\” indicates an active low.

KEY TIMING PARAMETERS

SPEED

CLOCK

ACCESS TIME

SETUP

TIME

1.5ns

HOLD

TIME

0.8ns

GRADE FREQUENCY CL = 2** CL = 3**

-75

133 MHz

100 MHz

–

5.4ns

–

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

6ns

*Off-center parting line

**CL = CAS (READ) latency

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS4SD32M16

Rev. 1.1 3/08

12 3 4 5 6 7...52

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AS4SD32M16DGC-75/IT	AUSTIN	获取价格	512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD32M16DGC-75/IT	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
AS4SD32M16DGC-75/XT	AUSTIN	获取价格	512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD32M16DGC-75/XT	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
AS4SD32M16DGCR/IT	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
AS4SD32M16DGCR/XT	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
AS4SD32M16DGCR-75/ET	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-
AS4SD32M16DGCR-75/IT	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-
AS4SD32M16DGCR-75/XT	MICROSS	获取价格	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-
AS4SD4M16	AUSTIN	获取价格	4 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory

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