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AS4SD32M16DG-75/XT

更新时间： 2024-02-10 16:47:37

品牌	Logo	应用领域
MICROSS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
52页	5263K
描述
Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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AS4SD32M16DG-75/XT 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.14
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4SD32M16DG-75/XT 数据手册

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SDRAM

AS4SD32M16

512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM

Synchronous DRAM Memory

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

54-Pin TSOP

FEATURES

• Full Military temp (-55°C to 125°C) processing available

• Conﬁguration: 32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)

• Fully synchronous; all signals registered on positive

edge of system clock

• Internal pipelined operation; column address can be

changed every clock cycle

• Internal banks for hiding row access/precharge

• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page

• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO

PRECHARGE and Auto Refresh Modes

• Self Refresh Mode (IT & ET)

• 64ms, 8,192-cycle refresh (IT)

• 24ms 8,192 cycle refresh (XT)

• WRITE Recovery (t_WR= “2 CLK”)

• LVTTL-compatible inputs and outputs

• Single +3.3V ±0.3V power supply

OPTIONS

MARKING

•

Plastic Package

54-pin TSOPII (400 mil)

(Pb/Sn ﬁnish or RoHS available)

DG No. 901

Timing (Cycle Time)

7.5ns @ CL = 3 (PC133) o r

10ns @ CL = 2 (PC100)

32 Meg x 16

-75

Configuration

8 Meg x 16 x 4 banks

Refresh Count

Row Addressing

Bank Addressing

Column Addressing

8K (A0-A12)

4 (BA0, BA1)

1024 (A0-A9)

Operating Temperature Ranges

-Industrial Temp (-40°C to 85° C)

-Enhanced Temp (-40°C to +105°C)

-Military Temp (-55°C to 125°C)

Note: “\” indicates an active low.

KEY TIMING PARAMETERS

For more products and information

please visit our web site at

www.micross.com

SPEED

CLOCK

ACCESS TIME

SETUP

TIME

1.5ns

HOLD

TIME

0.8ns

GRADE FREQUENCY CL = 2** CL = 3**

-75

133 MHz

100 MHz

–

5.4ns

–

6ns

*Off-center parting line

**CL = CAS (READ) latency

Micross Components reserves the right to change products or speciﬁcations without notice.

AS4SD32M16

Rev. 2.0 10/13

12 3 4 5 6 7...52

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AS4SD32M16DGC-75/ET	AUSTIN	获取价格	512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
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