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AS4SD2M32DGX-7ET

更新时间： 2024-01-27 01:24:53
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN 动态存储器
页数 文件大小 规格书
52页 1943K
描述
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM

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AS4SD2M32DGX-7ET 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：86
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.37
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G86
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：32
功能数量：1端口数量：1
端子数量：86字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：2MX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4SD2M32DGX-7ET 数据手册

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SDRAM  
AS4SD2M32  
Austin Semiconductor, Inc.  
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb)  
Synchronous SDRAM  
PIN ASSIGNMENT  
(TopView)  
86-Pin TSOPII  
FEATURES  
• Full Military temp (-55°C to 125°C) processing available  
• Configuration: 512K x 32 x 4 banks  
• Fully synchronous; all signals registered on positive  
edge of system clock  
• Internal pipelined operation; column address can be  
changed every clock cycle  
• Internal banks for hiding row access/precharge  
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page  
• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO  
PRECHARGE and Auto Refresh Modes  
• Self Refresh Mode (IT & ET)  
VDD  
DQ0  
1
86  
85  
84  
83  
82  
81  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
VSS  
2
DQ15  
V
DD  
Q
3
VSSQ  
DQ1  
DQ2  
4
DQ14  
DQ13  
5
V
SS  
Q
6
VDDQ  
DQ3  
DQ4  
7
DQ12  
DQ11  
8
V
DD  
Q
9
VSSQ  
DQ5  
DQ6  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
DQ10  
DQ9  
V
SS  
Q
VDDQ  
DQ7  
NC  
DQ8  
NC  
VDD  
VSS  
DQM0  
WE  
DQM1  
NC  
NC  
CAS  
RAS  
CS  
CLK  
CKE  
A9  
NC  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
A8  
A7  
• 64ms, 4,096 cycle refresh (IT & ET)  
• <16ms 4,096 cycle refresh (XT)  
A6  
A5  
A1  
A2  
A4  
A3  
• WRITE Recovery (tWR= “2 CLK”)  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Single +3.3V ±0.3V power supply  
DQM2  
DQM3  
VDD  
VSS  
NC  
DQ16  
NC  
DQ31  
V
SS  
Q
VDDQ  
DQ17  
DQ18  
DQ30  
DQ29  
V
DD  
Q
VSSQ  
DQ19  
DQ20  
DQ28  
DQ27  
V
SS  
Q
VDDQ  
OPTIONS  
MARKING  
DQ21  
DQ22  
DQ26  
DQ25  
•
Plastic TSOPII-EX  
DGX  
V
DQ23  
DD  
Q
VSSQ  
DQ24  
VDD  
VSS  
•
Timing (Cycle Time)  
6.0ns CL=3  
-6  
7.0ns CL=3  
-7  
2M x 32  
7.5ns CL=3  
-7.5  
Configuration  
Refresh Count  
512K x 32 x 4  
4K  
•
Operating Temperature Ranges  
-Industrial Temp (-40°C to 85° C)  
-Enhanced Temp (-45°C to +105°C)  
-Extended Temp (-55°C to 125°C)  
Row Addressing  
Bank Addressing  
Column Addressing  
4K (A0-A10)  
4 (BA0, BA1)  
256 (A0-A7)  
IT  
ET  
XT***  
KEY TIMING PARAMETERS  
SPEED  
CLOCK  
ACCESS TIME  
SETUP  
TIME  
HOLD  
TIME  
0.8ns  
GRADE FREQUENCY CL = 2** CL = 3**  
For more products and information  
please visit our web site at  
www.austinsemiconductor.com  
1.5ns  
**CL = CAS (READ) latency  
***Consult Factory  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS4SD2M32  
Rev. 1.0 1/08  
1
1234567...52

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS4SD2M32DGX-7IT AUSTIN

获取价格

 		512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-7IT MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
AS4SD2M32DGX-7XT AUSTIN

获取价格

 		512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-7XT MICROSS

获取价格

 		Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
AS4SD32M16 AUSTIN

获取价格

 		512Mb: 32 Meg x 16 SDRAM Synchronous DRAM Memory
AS4SD32M16DG/IT MICROSS

获取价格

 		Synchronous DRAM, 32MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
AS4SD32M16DG/XT MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 32MX16, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
AS4SD32M16DG-75/ET MICROSS

获取价格

 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
AS4SD32M16DG-75/IT MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
AS4SD32M16DG-75/XT MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

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