是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSOP, TSOP50,.46,32 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | 最长访问时间: | 7.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 端子数量: | 50 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP |
封装等效代码: | TSOP50,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP | 最大待机电流: | 0.002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS4SD1M16S-12 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
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AS4SD1M16S-8A | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
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AS4SD2M32 | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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AS4SD2M32DGX-6ET | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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AS4SD2M32DGX-6ET | MICROSS |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86 |
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AS4SD2M32DGX-6IT | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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AS4SD2M32DGX-6IT | MICROSS |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86 |
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AS4SD2M32DGX-6XT | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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AS4SD2M32DGX-6XT | MICROSS |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86 |
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AS4SD2M32DGX-75ET | AUSTIN |
获取价格 |
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM |
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