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AS4SD1M16S-10

更新时间: 2024-02-15 17:26:58
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
48页 3393K
描述
x16 SDRAM

AS4SD1M16S-10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83最长访问时间:7.5 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G50
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.13 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

AS4SD1M16S-10 数据手册

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