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AS4SD2M32DGX-6XT

更新时间: 2024-02-19 15:26:54
品牌 Logo 应用领域
MICROSS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
52页 3514K
描述
Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86

AS4SD2M32DGX-6XT 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:86
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.3
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G86长度:22.22 mm
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:86
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2MX32
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS4SD2M32DGX-6XT 数据手册

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SDRAM  
AS4SD2M32  
512K x 32 x 4 Banks (64-Mb)  
Synchronous SDRAM  
PIN ASSIGNMENT  
(Top View)  
86-Pin TSOPII  
FEATURES  
• Full Military temp (-55°C to 125°C) processing available  
• Conguration: 512K x 32 x 4 banks  
• Fully synchronous; all signals registered on positive  
edge of system clock  
• Internal pipelined operation; column address can be  
changed every clock cycle  
• Internal banks for hiding row access/precharge  
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8 or full page  
• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO  
PRECHARGE and Auto Refresh Modes  
• Self Refresh Mode (IT & ET)  
VDD  
DQ0  
1
86  
85  
84  
83  
82  
81  
80  
79  
78  
77  
76  
75  
74  
73  
72  
71  
70  
69  
68  
67  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
VSS  
2
DQ15  
V
DD  
Q
3
VSSQ  
DQ1  
DQ2  
4
DQ14  
DQ13  
5
V
SS  
Q
6
VDDQ  
DQ3  
DQ4  
7
DQ12  
DQ11  
8
V
DD  
Q
9
VSSQ  
DQ5  
DQ6  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
DQ10  
DQ9  
V
SS  
Q
VDDQ  
DQ7  
NC  
DQ8  
NC  
V
DD  
VSS  
DQM0  
WE  
DQM1  
NC  
NC  
CAS  
RAS  
CS  
CLK  
CKE  
A9  
NC  
BA0  
BA1  
A10  
A0  
A8  
A7  
• 64ms, 4,096 cycle refresh (IT & ET)  
• <16ms 4,096 cycle refresh (XT)  
A6  
A5  
A1  
A2  
A4  
A3  
• WRITE Recovery (tWR = “2 CLK”)  
• LVTTL-compatible inputs and outputs  
• Single +3.3V ±0.3V power supply  
DQM2  
DQM3  
V
DD  
VSS  
NC  
DQ16  
NC  
DQ31  
V
SS  
Q
VDDQ  
DQ17  
DQ18  
DQ30  
DQ29  
V
DD  
Q
VSSQ  
DQ19  
DQ20  
DQ28  
DQ27  
V
SS  
Q
VDDQ  
OPTIONS  
MARKING  
DQ21  
DQ22  
DQ26  
DQ25  
Plastic TSOPII-EX  
DGX  
V
DD  
Q
VSSQ  
DQ23  
DQ24  
V
DD  
VSS  
Timing (Cycle Time)  
6.0ns CL=3  
-6  
7.0ns CL=3  
7.5ns CL=3  
-7  
-7.5  
2M x 32  
Configuration  
512K x 32 x 4  
4K  
2K (A0-A10)  
4 (BA0, BA1)  
256 (A0-A7)  
Refresh Count  
Operating Temperature Ranges  
-Industrial Temp (-40°C to 85° C)  
-Enhanced Temp (-45°C to +105°C)  
Row Addressing  
Bank Addressing  
Column Addressing  
IT  
ET  
XT***  
-Extended Temp (-55°C to 125°C)  
KEY TIMING PARAMETERS  
tRCD tRP  
TARGET  
SPEED CLOCK FREQUENCY  
CL  
(ns)  
tRCD-tRP-CL (ns) (ns)  
GRADE  
(MHz)  
For more products and information  
please visit our web site at  
www.micross.com  
-6  
-7  
-7.5  
167  
143  
133  
3-3-3  
3-3-3  
3-3-3  
18 18 18  
20 20 20  
20 20 20  
**CL = CAS (READ) latency  
***Consult Factory  
Micross Components reserves the right to change products or specications without notice.  
AS4SD2M32  
Rev. 1.5 07/12  
1

与AS4SD2M32DGX-6XT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS4SD2M32DGX-75ET AUSTIN

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512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-75ET MICROSS

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暂无描述
AS4SD2M32DGX-75IT AUSTIN

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512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-75IT MICROSS

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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
AS4SD2M32DGX-75XT AUSTIN

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512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-75XT MICROSS

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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
AS4SD2M32DGX-7ET AUSTIN

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512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-7ET MICROSS

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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86
AS4SD2M32DGX-7IT AUSTIN

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512K x 32 x 4 Banks (64-Mb) Synchronous SDRAM
AS4SD2M32DGX-7IT MICROSS

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Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, PLASTIC, TSOP2-86