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AS4LC4M4E0-60TC

更新时间： 2024-02-23 08:16:07

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器
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描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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AS4LC4M4E0-60TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	SOP, TSOP24/26,.36
针数：	26/24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSOP24/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

AS4LC4M4E0-60TC 数据手册

AS4LC4M4E0

AS4LC4M4E1

EDO page mode read waveform

t_RASP

t_RP

RAS

t_RHCP

t_HPC

t_CSH

t_RSH

t_CRP

t_RCD

t_CAS

t_CP

CAS

t_AR

t_RAD

t_RAL

t_RAH

Row

t_ASC

t_CAH

t_ASR

Col address

t_RCS

Col address

Address

Col address

t_RRH

t_RCH

t_OEA

t_RAC

t_CPA

t_OEZ

t_OFF

t_CLZ

t_CAC

t_AA

t_OEZ

t_CPA

Data out

t_CLZ

Data out

t_CLZ

t_OLZ

EDO page mode early write waveform

t_RASP

t_RAH

t_RWL

RAS

t_CRP

t_RCD

t_PC

t_CSH

t_CAH

t_ASC

t_WCS

t_CAS

t_CP

t_RSH

CAS

t_RAL

t_AR

t_ASR

t_RAD

Row address

Col address

Address

Col address

t_CWL

t_WP

t_OEH

t_WCH

t_HDR

t_OED

t_DH

t_DS

Data in

Data In

Data in

4/11/01; V.1.1

Alliance Semiconductor

P. 11 of 15

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