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AS4LC4M16DG-6/XT

更新时间： 2024-01-26 07:45:08

品牌	Logo	应用领域
MICROSS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	2033K
描述
EDO DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP-50

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AS4LC4M16DG-6/XT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2,	针数：	50
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G50
JESD-609代码：	e4	长度：	20.95 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	50
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

DRAM

AS4LC4M16

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

AS4LC4M16

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Rev. 1.2 01/10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4LC4M16DG-6S/IT	AUSTIN	4 MEG x 16 DRAM Extended Data Out (EDO) DRAM	获取价格
AS4LC4M16DG-6S/XT	AUSTIN	4 MEG x 16 DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0-10FTC	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0-10TC	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格
AS4LC4M16S0-75TC	ALSC	3.3V 4Mx16 and 8Mx8 CMOS synchronous DRAM	获取价格