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AS4C4M4EOQ

更新时间： 2022-01-19 04:33:00
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16页 354K
描述
4M x 4 CMOS QuadCAS DRAM (EDO) family

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AS4C4M4EOQ 数据手册

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AS4C4M4EOQ  
AS4C4M4E1Q  
®
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Vin  
Min  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
-55  
–
Max  
Unit  
Input voltage  
+7.0  
VCC + 0.5  
+7.0  
+150  
260 × 10  
1
V
Input voltage (DQs)  
VDQ  
V
Power supply voltage  
Storage temperature (plastic)  
Soldering temperature × time  
Power dissipation  
VCC  
V
TSTG  
°C  
oC × sec  
TSOLDER  
PD  
–
W
Short circuit output current  
Iout  
–
50  
mA  
DC electrical characteristics (AS4C4M4E0/E1)  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol Test conditions  
Min  
Max  
+5  
Min  
-5  
-5  
–
Max  
Unit  
µA  
Notes  
1,2  
0V ≤ Vin ≤ +5.5V,  
Pins not under test = 0V  
Input leakage current IIL  
Output leakage current IOL  
-5  
-5  
–
+5  
+5  
DOUT disabled, 0V ≤ Vout ≤ +5.5V  
+5  
µA  
Operating power  
ICC1  
RAS, UCAS, LCAS, Address cycling;  
tRC=min  
110  
100  
mA  
supply current  
TTL standby power  
ICC2  
RAS = UCAS = LCAS ≥ VIH  
–
–
2.0  
–
–
2.0  
mA  
mA  
supply current  
Average power supply  
current, RAS refresh ICC3  
mode or CBR  
RAS cycling, UCAS = LCAS ≥ VIH,  
t
RC = min of RAS low after XCAS  
110  
100  
1
low.  
EDO page mode  
average power supply ICC4  
current  
RAS = VIL, UCAS or LCAS,  
address cycling: tHPC = min  
–
–
90  
–
–
80  
mA  
mA  
1, 2  
CMOS standby power  
ICC5  
RAS = UCAS = LCAS = VCC - 0.2V  
1.0  
1.0  
supply current  
VOH  
Output voltage  
VOL  
IOUT = -5.0 mA  
IOUT = 4.2 mA  
2.4  
–
–
2.4  
–
–
V
V
0.4  
0.4  
CAS before RAS refresh  
current  
RAS, UCAS or LCAS cycling, tRC  
min  
=
ICC6  
–
110  
0.6  
–
100  
0.6  
mA  
RAS = UCAS = LCAS ≤ 0.2V,  
WE = OE ≥ VCC - 0.2V,  
all other inputs at 0.2V or  
Self refresh current  
ICC7  
–
–
mA  
V
CC - 0.2V  
3/22/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 16  
1234567...16

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