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AS4C4M4EOQ

更新时间： 2022-01-19 04:33:00

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16页	354K
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4M x 4 CMOS QuadCAS DRAM (EDO) family

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AS4C4M4EOQ 数据手册

AS4C4M4EOQ

AS4C4M4E1Q

EDO page mode read-modify-write waveform

t_RASP

t_RP

RAS

t_HPRWC

t_CAS

t_CSH

t_RCD

t_CP

t_CRP

CAS

t_RAD

t_RAL

t_CAH

t_ASR

t_RAH

t_ASC

t_CAH

Row ad

Col ad

t_RWD

Col ad

Col address

t_CPWD

Address

t_CWL

t_RWL

t_CWL

t_RCS

t_CWD

t_AWD

t_WP

t_OEA

t_OEZ

t_OED

t_OEA

t_AA

t_RAC

t_CLZ

t_CAC

t_DH

t_CPA

t_CLZ

t_CAC

t_DS

t_CLZ

t_CAC

Data in

Data out

Data in

Data out

CAS before RAS refresh waveform

WE = A = V_IHor V_IL

t_RC

t_RP

t_RAS

RAS

t_RPC

t_CHR

t_CP

t_CSR

CAS

OPEN

RAS only refresh waveform

WE = OE = V_IHor V_IL

t_RC

t_RAS

t_RP

RAS

t_CRP

t_RPC

CAS

t_ASR

t_RAH

Address

Row address

3/22/01; v.1.0

Alliance Semiconductor

P. 13 of 16

1...10 11 121314 15 16

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