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AS4C1M16F5-50TI

更新时间: 2024-01-07 12:05:17
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

AS4C1M16F5-50TI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数:50Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.78Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44/50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):240
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.145 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4C1M16F5-50TI 数据手册

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AS4C1M16F5  
®
AS4C1M16F5 part numbering system  
AS4  
C
1M16E0  
–XX  
X
X
Package:  
Temperature range  
DRAM prefix  
C = 5V CMOS Device number RAS access time J = 42-pin SOJ 400 mil  
T=44/50-pin TSOP II 400 mil  
C=Commercial, 0°C to 70°C  
I=Industrial, -40°C to 85°C  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 21 of 21  

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