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AS4C1M16F5-50TI

更新时间： 2024-02-18 05:50:45

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其他 - ETC		内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5-50TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：	50	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44/50,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4C1M16F5-50TI 数据手册

AS4C1M16F5

CAS before RAS refresh counter test waveform

t_RAS

t_RSH

t_RP

RAS

t_CSR

t_CPT

t_CAS

t_CHR

UCAS,

LCAS

t_RAL

t_ASC

t_CAH

Address

Col address

t_AA

t_CAC

t_CLZ

t_OFF

t_OEZ

Data out

t_RRH

t_RCH

t_RCS

t_ROH

t_OEA

t_RWL

t_CWL

t_WP

t_WCH

t_WCS

t_DH

t_DS

Data in

t_{RW L}

t_WP

t_RCS

t_CWD

t_AWD

t_CWL

t_OEA

t_OED

t _AA

t_DH

t_CLZ

t_CAC

t_OEZ

t_DS

Data in

Data out

4/11/01; v.0.9.1

Alliance Semiconductor

P. 17 of 21

1...14 15 161718 19 20 21

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