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Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C1M16E5-50JI
AS4C1M16E5-50JI PDF预览

AS4C1M16E5-50JI

更新时间： 2024-01-28 04:47:57
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C1M16E5-50JI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.24访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS4C1M16E5-50JI 数据手册

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AS4C1M16E5  
®
AC parameters common to all waveforms  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tRC  
Parameter  
Min  
75  
30  
45  
8
Max  
–
Min  
80  
30  
50  
8
Max  
–
Min  
100  
40  
60  
10  
15  
10  
10  
50  
5
Max  
–
Unit Notes  
Random read or write cycle time  
RAS precharge time  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRP  
–
–
–
tRAS  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tRSH  
tCSH  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tT  
RAS pulse width  
10K  
10K  
35  
25  
–
10K  
10K  
35  
25  
–
10K  
10K  
43  
30  
–
CAS pulse width  
RAS to CAS delay time  
RAS to column address delay time  
CAS to RAS hold time  
RAS to CAS hold time  
CAS to RAS precharge time  
Row address setup time  
Row address hold time  
Transition time (rise and fall)  
Refresh period  
15  
8
15  
9
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
9
10  
10  
40  
5
10  
40  
5
–
–
–
–
–
–
0
–
0
–
0
–
8
–
8
–
10  
1
–
1
50  
16  
–
1
50  
16  
–
50  
16  
–
7,8  
6
tREF  
tCP  
–
–
–
CAS precharge time  
8
8
10  
30  
0
tRAL  
tASC  
tCAH  
Column address to RAS lead time  
Column address setup time  
Column address hold time  
25  
0
–
25  
0
–
–
–
–
–
8
–
8
–
10  
–
Read cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tRAC  
Parameter  
Min  
–
Max  
45  
10  
23  
–
Min  
–
Max  
50  
12  
25  
–
Min  
–
Max  
60  
15  
30  
–
Unit Notes  
Access time from RAS  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
9
tCAC  
Access time from CAS  
–
–
–
9,16  
10,16  
tAA  
Access time from address  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
Read command hold time to RAS  
–
–
–
tRCS  
0
0
0
tRCH  
tRRH  
0
–
0
–
0
–
12  
12  
0
–
0
–
0
–
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 22  
12345678...22

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