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AS4666FL-Q1

更新时间： 2024-11-09 18:07:07

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5页	563K
描述
DFN2*2-6L

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AS4666FL-Q1 数据手册

AS4666FL-Q1

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

I_D

32mΩ@-4.5V

42mΩ@-2.5V

67mΩ@-1.8V

-16V

-7A

Feature

Application



Advanced trench process technology



Battery protection

Load switch

High density cell design for ultra low on-resistance

Low Gate Charge

Ultraportable applications

Suffix“-Q1”for AEC-Q101

Package

Circuit diagram

DFN2*2-6L

Marking

..G66B

Document ID

AS-1150194

Issued Date

2018/03/08

Revised Date

2019/11/25

Revision

Page.

Page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AS4684NBG	IDT	获取价格	SPDT, 2 Func, 1 Channel, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, DFN-10
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