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AS40N10S-Q1

更新时间： 2024-10-15 18:07:11

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安邦 - ANBON		/
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5页	886K
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DFN3.3*3.3-8L

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AS40N10S-Q1 数据手册

AS40N10S-Q1

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

I_D

18.5mΩ@10V

22.5mΩ@4.5V

100V

40A

Application

Feature



Consumer electronic power supply



High density cell design for ultra low Rdson

Split gate trench MOSFET technology

Excellent package for heat dissipation

Moisture Sensitivity Level 3

DC/DC converter

Ideal for high-frequency switching and synchronous

rectification

Motor control

Invertors



Suffix“-Q1”for AEC-Q101

Package

Circuit diagram

DFN3.3X3.3-8L

Marking

Q40G10A

XXXXX

Document ID

AS-1150314

Issued Date

2013/03/03

Revised Date

2019/06/16

Revision

Page.

Page 1

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS40NP03S	ANBON	获取价格	DFN5*6-8L
AS40NP03S-Q1	ANBON	获取价格	DFN5*6-8L
AS40P03BS	ANBON	获取价格	DFN3.3*3.3-8L
AS40P03S-Q1	ANBON	获取价格	DFN3.3*3.3-8L
AS40P04S	ANBON	获取价格	DFN3.3*3.3-8L
AS40P04S-Q1	ANBON	获取价格	DFN3.3*3.3-8L
AS40P06S	ANBON	获取价格	DFN5*6-8L
AS40P06S-Q1	ANBON	获取价格	DFN5*6-8L
AS40P13S	ANBON	获取价格	SOP-8
AS40-R10K	ALLIED	获取价格	General Purpose Inductor, 0.1uH, 10%, 1 Element, AXIAL LEADED