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AS3PKHM3_A/H

更新时间： 2024-01-23 07:40:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 97K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2.1A, 800V V(RRM), Silicon, TO-277A,

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AS3PKHM3_A/H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：5.62其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：TO-277AJESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：70 A元件数量：1
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：1.2 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

AS3PKHM3_A/H 数据手册

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AS3PD, AS3PG, AS3PJ, AS3PK, AS3PM  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Standard Avalanche  
Surface Mount Rectifiers  
FEATURES  
eSMP® Series  
Available  
• Very low profile - typical height of 1.1 mm  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated pallet chip junction  
• Controlled avalanche characteristics  
• Low leakage current  
K
1
• High forward surge capability  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
2
TO-277A (SMPC)  
• AEC-Q101 qualified available  
- Automotive ordering code: base P/NHM3  
Anode 1  
Anode 2  
K
Cathode  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
MECHANICAL DATA  
IF(AV)  
3.0 A  
Case: TO-277A (SMPC)  
200 V, 400 V, 600 V, 800 V,  
1000 V  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
VRRM  
Base P/N-M3  
-
halogen-free, RoHS-compliant, and  
IFSM  
EAS  
70 A  
20 mJ  
0.90 V  
commercial grade  
Base P/NHM3  
- halogen-free, RoHS-compliant and  
AEC-Q101 qualified  
Base P/NHM3_X - halogen-free, RoHS-compliant and  
AEC-Q101 qualified   
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)  
VF at IF = 3 A  
TJ max.  
Package  
175 °C  
TO-277A (SMPC)  
Single die  
Diode variations  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test, HM3 suffix  
meets JESD 201 class 2 whisker test  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters and freewheeling diodes for consumer,  
automotive and telecommunication.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL AS3PD AS3PG  
AS3PJ  
AS3J  
600  
AS3PK AS3PM UNIT  
Device marking code  
AS3D  
200  
AS3G  
400  
AS3K  
800  
AS3M  
1000  
Max. repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
V
A
(1)  
IF  
3.0  
Max. DC forward current (fig. 1)  
(2)  
IF  
2.1  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
70  
A
I
AS = 2.5 A max.  
20  
30  
Non-repetitive avalanche energy   
EAS  
mJ  
°C  
at TJ = 25 °C  
IAS = 1.0 A typical  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-55 to +175  
Notes  
(1)  
Mounted on 10 mm x 10 mm pad areas, 1 oz. FR4 PCB  
Free air, mounted on recommended copper pad area  
(2)  
Revision: 27-Jul-15  
Document Number: 88837  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS3PKHM3_A/I VISHAY Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 2.1A, 800V V(RRM), Silicon, TO-277A,

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AS3PK-M3/86A VISHAY DIODE 2.1 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PL

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