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AS3PK-M3/87A

更新时间： 2024-01-07 20:27:46
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网PC光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 97K
描述
DIODE 2.1 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMPC, 3 PIN, Rectifier Diode

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AS3PK-M3/87A 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-277
包装说明：R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.28
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-277A
JESD-30 代码：R-PDSO-F3最大非重复峰值正向电流：70 A
元件数量：1相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：1.2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

AS3PK-M3/87A 数据手册

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AS3PD, AS3PG, AS3PJ, AS3PK, AS3PM  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
1000  
100  
10  
TA = 175 °C  
TM = 160 °C  
TA = 125 °C  
TA = 25 °C  
TA = 75 °C  
1
TA = 25 °C  
0.1  
0.01  
TM Measured  
at the Cathode Band Terminal  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90 100  
Mount Temperature (°C)  
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
Fig. 1 - Maximum Forward Current Derating Curve  
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics  
4.0  
1000  
D = 0.5  
D = 0.8  
TJ = 25 °C  
f = 1.0 MHz  
sig = 50 mVp-p  
3.6  
3.2  
2.8  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
D = 0.3  
D = 0.2  
V
D = 0.1  
100  
10  
1
D = 1.0  
T
D = tp/T  
2.5  
tp  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
3.0  
3.5  
0.1  
1
10  
100  
Reverse Voltage (V)  
Average Forward Current (A)  
Fig. 2 - Forward Power Loss Characteristics  
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance  
Junction to Ambient  
100  
100  
10  
1
TA = 175 °C  
10  
1
TA = 125 °C  
TA = 75 °C  
TA = 25 °C  
0.1  
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
t - Pulse Duration (s)  
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics  
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance  
Revision: 27-Jul-15  
Document Number: 88837  
3
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345

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