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AS29F010CW-12/XT

更新时间: 2024-02-10 12:59:07
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AUSTIN /
页数 文件大小 规格书
22页 242K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

AS29F010CW-12/XT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.66
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:42.418 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:128KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.1308 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

AS29F010CW-12/XT 数据手册

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FLASH  
AS29F010  
Austin Semiconductor, Inc.  
MECHANICAL DEFINITIONS*  
Package Designator C  
ASI SPECIFICATIONS  
SYMBOL  
MIN  
MAX  
0.202  
0.047  
0.193  
0.012  
0.610  
1.686  
0.604  
1.508  
0.105  
0.020  
A
A1  
A2  
B
B1  
D
D1  
D2  
e
0.140  
0.190  
0.125  
0.009  
0.590  
1.654  
0.580  
1.492  
0.095  
0.016  
e1  
*All measurements are in inches.  
AS29F010  
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
Rev. 0.3 10/02  
20  

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