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AS29F010CW-12/XT PDF预览

AS29F010CW-12/XT

更新时间： 2024-02-10 22:35:46
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN /
页数 文件大小 规格书
22页 242K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

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AS29F010CW-12/XT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, CERAMIC, DIP-32针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.66
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T32
JESD-609代码：e0长度：42.418 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.1308 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

AS29F010CW-12/XT 数据手册

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FLASH  
AS29F010  
Austin Semiconductor, Inc.  
AC CHARACTERISTICS: Erase and Program Operations  
SYMBOL  
JEDEC Std  
SPEED OPTIONS  
PARAMETER  
-50  
-60  
-70  
90  
-120 -150 UNITS  
1
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
MIN  
t
t
50  
60  
70  
90  
120 150  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
sec  
Write Cycle Time  
AVAV  
WC  
0
Address Setup Time  
Address Hold Time  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
t
t
t
AVEL  
ELAX  
AS  
AH  
DS  
DH  
t
40  
25  
45  
30  
45  
30  
45  
45  
50  
50  
50  
50  
t
t
DVEH  
EHDX  
0
0
0
0
0
t
t
1
t
Output Enable Setup Time  
OES  
Read Recover Time Before Write  
WE\ Setup Time  
t
t
t
GHEL  
GHEL  
t
WLEL  
WS  
WH  
WE\ Hold Time  
t
t
EHWH  
CE\ Pulse Width  
t
t
25  
30  
35  
45  
50  
50  
ELEH  
EHEL  
CP  
20  
14  
60  
CE\ Pulse Width High  
t
t
CPH  
2
t
t
Byte Programming Operation  
WHWH1 WHWH1  
2
TYP t  
t
Chip/Sector Erase Operation  
WHWH2 WHWH2  
NOTES:  
1. Not 100% tested.  
2. See the “Erase and Programming Performance” section for more information.  
FIGURE 13: AC CHARACTERISTICS, Alternate CE\ Controlled Write  
Operation Timings  
NOTES:  
1. PA = program address, PD = program data, SA = sector address, DQ7\ = complement of data input, DOUT = array data.  
2. Figure indicates the last two bus cycles of the command sequence.  
AS29F010  
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
Rev. 0.3 10/02  
18  
1...1516171819202122

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