AQ1F3M

更新时间： 2024-02-02 14:01:41

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日电电子 - NEC		晶体晶体管
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6页	105K
描述
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

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AQ1F3M 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AQ1F3M 数据手册

AQ1 SERIES

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Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

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MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

−100

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.1 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −1.0 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −2.0 A

I^C= −5.0 A, I^C= −0.3 A

V^CE= −5.0 V, I^C= −100 µA

h^FE1**

h^FE2**

h^FE3**

V^OL**

V^IL**

R¹

200

150

−

DC current gain

−

DC current gain

−0.3

2.86

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

kΩ

1.54

2.2

E-to-B resistance

R²

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Parameter

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Symbol

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h^FE2**

h^FE3**

V^OL**

V^IL**

R¹

150

−

DC current gain

−

DC current gain

−0.55

−0.3

611

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

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470

4.7

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Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

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−

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h^FE1**

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V^IL**

R¹

150

−

DC current gain

−

DC current gain

−0.55

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286

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

Ω

154

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R²

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2.86

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