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AQ1F3M

更新时间: 2024-01-21 16:22:48
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日电电子 - NEC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 105K
描述
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor

AQ1F3M 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.84
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:20 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

AQ1F3M 数据手册

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AQ1 SERIES  
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