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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT902RBN-GULLWING | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| APT902RCN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-254ISO |
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| APT902RDN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| APT903R5AN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-3 |
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| APT903R5BN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247AD |
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| APT903R5DN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | CHIP |
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| APT903RAN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT903RBN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT903RCN | ADPOW |
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Transistor |
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| APT9040CFN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 900V V(BR)DSS | 24.5A I(D) |
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