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APT63H60L PDF预览

APT63H60L

更新时间： 2024-01-04 19:19:36
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 261K
描述
Power Field-Effect Transistor, 63A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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APT63H60L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-264AA
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：1845 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：63 A最大漏源导通电阻：0.11 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-264AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：245 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT63H60L 数据手册

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Static Characteristics  
T = 25°C unless otherwise specified  
J
APT63H60B2_L  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Symbol  
VBR(DSS)  
V
= 0V, I = 250µA  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Breakdown Voltage Temperature Coefficient  
Drain-Source On Resistance 3  
Gate-Source Threshold Voltage  
Threshold Voltage Temperature Coefficient  
600  
GS  
D
∆VBR(DSS)/∆TJ  
Reference to 25°C, I = 250µA  
D
V/°C  
Ω
0.57  
0.091  
4
V
= 10V, I = 33A  
D
RDS(on)  
VGS(th)  
0.11  
5
GS  
V
3
V
= VDS, I = 2.5mA  
D
GS  
∆VGS(th)/∆TJ  
mV/°C  
-10  
V
= 600V  
= 0V  
T = 25°C  
J
100  
1000  
±100  
DS  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
µA  
nA  
V
T = 125°C  
J
GS  
V
= ±30V  
GS  
Dynamic Characteristics  
T = 25°C unless otherwise specified  
J
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
65  
Max  
Unit  
gfs  
V
= 50V, I = 33A  
S
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
DS  
D
Ciss  
Crss  
Coss  
13190  
135  
V
= 0V, V = 25V  
DS  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
f = 1MHz  
1210  
pF  
4
Co(cr)  
Effective Output Capacitance, Charge Related  
Effective Output Capacitance, Energy Related  
645  
335  
V
= 0V, V = 0V to 400V  
DS  
GS  
5
Co(er)  
Qg  
Qgs  
Qgd  
td(on)  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Turn-On Delay Time  
Current Rise Time  
Turn-Off Delay Time  
Current Fall Time  
330  
70  
V
= 0 to 10V, I = 33A,  
GS  
D
nC  
ns  
V
= 300V  
DS  
140  
75  
Resistive Switching  
V = 400V, I = 33A  
DD  
tr  
td(off)  
tf  
85  
D
R
= 2.2Ω 6 , V  
= 15V  
GG  
225  
70  
G
Source-Drain Diode Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Continuous Source Current  
(Body Diode)  
D
S
MOSFET symbol  
showing the  
integral reverse p-n  
junction diode  
(body diode)  
IS  
63  
A
G
Pulsed Source Current  
(Body Diode) 1  
ISM  
VSD  
trr  
245  
I
= 33A, T = 25°C, V  
= 0V  
Diode Forward Voltage  
1.0  
250  
460  
V
SD  
J
GS  
T = 25°C  
J
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
Reverse Recovery Current  
Peak Recovery dv/dt  
ns  
T = 125°C  
J
3
I
= 33A  
T = 25°C  
J
1.27  
3.32  
9.1  
SD  
Qrr  
µC  
A
diSD/dt = 100A/µs  
= 100V  
T = 125°C  
J
V
T = 25°C  
J
DD  
Irrm  
T = 125°C  
J
13.5  
I
≤ 33A, di/dt ≤1000A/µs, V = 400V,  
DD  
SD  
dv/dt  
V/ns  
30  
T = 125°C  
J
1
2
3
Repetitive Rating: Pulse width and case temperature limited by maximum junction temperature.  
Starting at TJ = 25°C, L = 3.39mH, RG = 2.2Ω, IAS = 33A.  
Pulse test: Pulse Width < 380µs, duty cycle < 2%.  
4
5
Co(cr) is defined as a fixed capacitance with the same stored charge as COSS with VDS = 67% of V(BR)DSS.  
Co(er) is defined as a fixed capacitance with the same stored energy as COSS with VDS = 67% of V(BR)DSS. To calculate Co(er) for any value of  
VDS less than V(BR)DSS, use this equation: Co(er) = -1.28E-7/VDS^2 + 5.36E-8/VDS + 2.00E-10.  
6
RG is external gate resistance, not including internal gate resistance or gate driver impedance. (MIC4452)  
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.  
1234

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