是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, D3PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
其他特性: | LOW CONDUCTION LOSS | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 121 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值: | 6 V |
门极-发射极最大电压: | 30 V | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 520 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | PURE MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 304 ns |
标称接通时间 (ton): | 46 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
APT6GT60KR | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-220AB |
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APT6M100K | MICROSEMI | N-Channel MOSFET |
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APT6M100K_09 | MICROSEMI | N-Channel MOSFET |
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APT6SC60G | MICROSEMI | Rectifier Diode |
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APT6SC60G | ADPOW | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA, |
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APT6SC60GCT | ADPOW | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA, |
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