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APT68GA60S

更新时间： 2024-01-18 03:59:09

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
6页	213K
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High Speed PT IGBT

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APT68GA60S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	ROHS COMPLIANT, D3PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	121 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	PURE MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	304 ns
标称接通时间 (ton)：	46 ns	Base Number Matches：	1

APT68GA60S 数据手册

APT68GA60B_S

10%

Gate Voltage

= 125°C

t_d(on)

90%

APT30DQ60

t_r

Collector Current

Collector Voltage

V_CE

V_CC

I_C

10%

Switching Energy

D.U.T.

Figure 12, Inductive Switching Test Circuit

Figure 13, Turn-on Switching Waveforms and Deﬁnitions

= 125°C

90%

t_d(off)

Gate Voltage

Collector Voltage

Collector Current

t_f

10%

Switching Energy

Figure 14, Turn-off Switching Waveforms and Deﬁnitions

D³PAK Package Outline

TO-247 (B) Package Outline

e3 100% Sn Plated

4.98 (.196)

5.08 (.200)

1.47 (.058)

1.57 (.062)

4.69 (.185)

5.31 (.209)

15.95 (.628)

16.05(.632)

13.41 (.528)

13.51(.532)

15.49 (.610)

16.26 (.640)

1.04 (.041)

1.15(.045)

1.49 (.059)

2.49 (.098)

5.38 (.212)

6.20 (.244)

6.15 (.242) BSC

Revised

8/29/97

11.51 (.453)

11.61 (.457)

13.79 (.543)

13.99(.551)

Revised

4/18/95

20.80 (.819)

21.46 (.845)

3.50 (.138)

3.81 (.150)

0.46 (.018)

0.56 (.022)

{3 Plcs}

1.27 (.050)

1.40 (.055)

0.020 (.001)

0.178 (.007)

2.87 (.113)

3.12 (.123)

3.81 (.150)

4.50 (.177) Max.

1.98 (.078)

2.08 (.082)

4.06 (.160)

2.67 (.105)

2.84 (.112)

(Base of Lead)

1.65 (.065)

2.13 (.084)

1.22 (.048)

1.32 (.052)

0.40 (.016)

0.79 (.031)

19.81 (.780)

20.32 (.800)

Heat Sink (Drain)

and Leads

are Plated

5.45 (.215) BSC

{2 Plcs.}

1.01 (.040)

1.40 (.055)

Gate

Collector

Emitter

Collector

Gate

2.21 (.087)

2.59 (.102)

5.45 (.215) BSC

2-Plcs.

Dimensions in Millimeters (Inches)

Dimensions in Millimeters and (Inches)

Microsemi’s products are covered by one or more of U.S. patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786 5,256,583

4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 6,939,743, 7,352,045 5,283,201 5,801,417 5,648,283 7,196,634 6,664,594 7,157,886 6,939,743 7,342,262

1...3 4 56

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
APT6GT60KR	ETC	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 13A I(C) \| TO-220AB	获取价格
APT6M100K	MICROSEMI	N-Channel MOSFET	获取价格
APT6M100K_09	MICROSEMI	N-Channel MOSFET	获取价格
APT6SC60G	MICROSEMI	Rectifier Diode	获取价格
APT6SC60G	ADPOW	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA,	获取价格
APT6SC60GCT	ADPOW	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon Carbide, TO-257AA,	获取价格

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