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APT68GA60S

更新时间： 2024-02-20 17:07:19
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
6页 213K
描述
High Speed PT IGBT

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APT68GA60S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：ROHS COMPLIANT, D3PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：121 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：30 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：520 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：304 ns
标称接通时间 (ton)：46 nsBase Number Matches：1

APT68GA60S 数据手册

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APT68GA60B_S  
Dynamic Characteristics  
T = 25°C unless otherwise specified  
J
Symbol  
Cies  
Parameter  
Test Conditions  
Capacitance  
Min  
Typ  
5230  
526  
59  
Max  
Unit  
Input Capacitance  
Coes  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge 3  
Gate-Emitter Charge  
VGE = 0V, VCE = 25V  
f = 1MHz  
pF  
Cres  
Qg  
Gate Charge  
198  
32  
Qge  
VGE = 15V  
nC  
A
VCE= 300V  
Qgc  
Gate- Collector Charge  
66  
IC = 40A  
TJ = 150°C, RG = 4.7Ω4, VGE = 15V,  
L= 100uH, VCE = 600V  
Inductive Switching (25°C)  
VCC = 400V  
SSOA  
Switching Safe Operating Area  
202  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Current Rise Time  
21  
27  
ns  
μJ  
ns  
μJ  
Turn-Off Delay Time  
Current Fall Time  
133  
88  
VGE = 15V  
IC = 40A  
RG = 4.7Ω4  
Eon2  
Eoff  
td(on  
tr  
Turn-On Switching Energy  
Turn-Off Switching Energy 6  
Turn-On Delay Time  
Current Rise Time  
715  
607  
20  
TJ = +25°C  
Inductive Switching (125°C)  
26  
VCC = 400V  
td(off)  
tf  
Turn-Off Delay Time  
Current Fall Time  
175  
129  
1117  
1025  
VGE = 15V  
IC = 40A  
RG = 4.7Ω4  
Eon2  
Eoff  
Turn-On Switching Energy  
Turn-Off Switching Energy 6  
TJ = +125°C  
1
2
3
4
5
Repetitive Rating: Pulse width and case temperature limited by maximum junction temperature.  
Pulse test: Pulse Width < 380μs, duty cycle < 2%.  
See Mil-Std-750 Method 3471.  
RG is external gate resistance, not including internal gate resistance or gate driver impedance. (MIC4452)  
Eon2 is the clamped inductive turn on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn on energy loss. A combi device is used for the  
clamping diode.  
Eoff is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance with JEDEC standard JESD24-1.  
6
7 Continuous current limited by package lead temperature.  
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.  
123456

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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