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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 960 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT6045BVRG | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| APT6045CVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6045HN | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 15.5A I(D) | TO-258ISO |
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| APT6045SVFR | MICROSEMI |
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POWER MOS V® FREDFET |
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| APT6045SVFRG | MICROSEMI |
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POWER MOS V® FREDFET |
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| APT6045SVR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT6045SVR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6045SVRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT6060AN | ADPOW |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT6060BN | ADPOW |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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