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APT6045SVR

更新时间： 2024-11-25 21:20:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D3PAK-3

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APT6045SVR 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.3其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：960 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：250 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT6045SVR 数据手册

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APT6045BVR  
APT6045SVR  
APT6045BVRG APT6045SVRG  
600V 15A 0.45 Ω  
*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.  
BVR  
POWER MOS V®  
D3PAK  
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhance-  
ment mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET ef-  
fect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS  
SVR  
V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.  
D
S
• Faster Switching  
• Lower Leakage  
• Avalanche Energy Rated  
• Popular TO-247 Package  
G
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Symbol  
VDSS  
ID  
Parameter  
APT6045B_SVR(G)  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Volts  
600  
15  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
60  
Pulsed Drain Current  
VGS  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
±30  
±40  
250  
2
VGSM  
Watts  
W/°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
15  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
1
EAR  
EAS  
30  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
4
960  
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Symbol  
MIN  
TYP  
MAX  
Characteristic / Test Conditions  
UNIT  
BVDSS  
600  
15  
Volts  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250μA)  
2
ID(on)  
Amps  
On State Drain Current  
(VDS > ID(on) x RDS(on) Max, VGS = 10V)  
2
RDS(on)  
0.45  
25  
Ohms  
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 7.5A)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 600V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 480V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1.0mA)  
IDSS  
μA  
250  
±100  
4
IGSS  
nA  
VGS(th)  
2
Volts  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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与APT6045SVR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
APT6045SVRG MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
APT6060AN ADPOW

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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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 		Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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