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APT50GT60BR

更新时间： 2024-11-23 06:37:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 224K
描述
Thunderbolt IGBT

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APT50GT60BR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.02
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：110 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：365 ns标称接通时间 (ton)：46 ns
Base Number Matches：1

APT50GT60BR 数据手册

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•ꢀLowꢀTailꢀCurrentꢀ  
                                       
•ꢀLowꢀForwardꢀVoltageꢀDropꢀ  
                                       
•ꢀHighꢀFreq.ꢀSwitchingꢀtoꢀ100KHz  
•ꢀUltraꢀLowꢀLeakageꢀCurrent  
600V  
APT50GT60BR  
APT50GT60SR  
APT50GT60BRG* APT50GT60SRG*  
*GꢀDenotesꢀRoHSꢀCompliant,ꢀPbꢀFreeꢀTerminalꢀFinish.  
(B)  
Thunderbolt IGBT®  
D3PAK  
(S)  
TheThunderblot IGBT® is a new generation of high voltage power IGBTs.Using Non- Punch  
Through Technology, the Thunderblot IGBT® offers superior ruggedness and ultrafast  
switching speed.  
C
G
E
G
C
E
C
E
•ꢀRBSOAꢀandꢀSCSOAꢀRated  
G
MAXIMUM RATINGS  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
Parameter  
Symbol  
UNIT  
APT50GT60BR_SR(G)  
VCES  
VGE  
IC1  
Collector-Emitter Voltage  
Gate-Emitter Voltage  
600  
Volts  
30  
7
Continuous Collector Current @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current @ TC = 110°C  
110  
IC2  
52  
Amps  
1
ICM  
Pulsed Collector Current  
150  
Switching Safe Operating Area @ TJ = 150°C  
150A @ 600V  
446  
SSOA  
PD  
Watts  
°C  
Total Power Dissipation  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to 150  
300  
TL  
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.  
STATICꢀELECTRICALꢀCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristicꢀ/ꢀTestꢀConditions  
MIN  
TYP  
MAX  
Units  
V(BR)CES  
VGE(TH)  
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 2mA)  
Gate Threshold Voltage (VCE = VGE, IC = 1mA, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)  
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)  
600  
3
4
5
Volts  
1.7  
2.0  
2.2  
2.5  
VCE(ON)  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 25°C)  
25  
ICES  
IGES  
µA  
nA  
2
Collector Cut-off Current (VCE = 600V, VGE = 0V, Tj = 125°C)  
TBD  
120  
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = 20V)  
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com  
123456

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