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APT50GT60BRDL

更新时间： 2024-11-23 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管局域网
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Resonant Mode Combi IGBT

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APT50GT60BRDL 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.1
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	110 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	365 ns	标称接通时间 (ton)：	46 ns
Base Number Matches：	1

APT50GT60BRDL 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

APT50GT60BRDL(G)

600V

APT50GT60BRDL(G)

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Resonant Mode Combi IGBT^®

The Thunderbolt IGBT^®used in this Resonant Mode Combi is a new generation of high

voltage power IGBTs. Using Non- Punch Through Technology, the Thunderblot IGBT^®of-

fers superior ruggedness and ultrafast switching speed.

Typical Applications

Features

•

Induction Heating

Welding

•

SSOA Rated

•

Low Conduction Loss

RoHS Compliant

Low Gate Charge

Medical

Ultrafast Tail Current shutoff

Low forward Diode Voltage (V_F)

Ultrasoft Recovery Diode

High Power Telecom

Resonant Mode Phase Shifted

Bridge

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT50GT60BRDL(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

600

Volts

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

110

I_C2

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

Amps

I_CM

Pulsed Collector Current

@ T_C= 150°C

150

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

Total Power Dissipation

150A @ 600V

446

SSOA

P_D

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 2mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 50A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 50A, T_j= 125°C)

600

Volts

1.7

2.0

2.2

2.5

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 600V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

1250

120

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= 20V)

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APT50GT60BRDQ1	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT50GT60BRDQ1G	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT50GT60BRDQ2	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT50GT60BRDQ2G	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
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APT50GT60SR	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
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