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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.1 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1001RBNR-BUTT | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT1001RBNR-BUTT | MICROSEMI |
获取价格 |
11A, 1000V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
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| APT1001RBNR-GULLWING | ADPOW |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT1001RBNR-GULLWING | MICROSEMI |
获取价格 |
11 A, 1000 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN |
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| APT1001RBVFR | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS V FREDFET |
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| APT1001RBVFRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT1001RBVR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT1001RBVRG | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| APT1001RCN | ADPOW |
获取价格 |
Transistor |
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| APT1001RDN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | CHIP |
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