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APL602B2G

更新时间： 2024-01-18 05:32:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		放大器脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	1391K
描述
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, TMAX-3

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APL602B2G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.17
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	49 A	最大漏极电流 (ID)：	49 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	730 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	196 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

APL602B2G 数据手册

APL602B2(G)

APL602L(G)

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

600V 49A 0.125Ω

LINEAR MOSFET

T-MAX™

TO-264

Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linear

region where concurrent high voltage and high current can occur at

near DC conditions (>100 msec).

• Higher FBSOA

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

• Higher Power Dissipation

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APL602B2-L(G)

UNIT

Symbol

Parameter

V_DSS

Drain-Source Voltage

Volts

600

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

196

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Watts

W/°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

730

P_D

5.84

-55 to 150

300

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3000

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions / Part Number

MIN

600

TYP

MAX

UNIT

Volts

BV_DSS

I_D(ON)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250 µA)

On State Drain Current ²(V_DS> I_D(ON) x R_DS(ON) Max, V_GS= 12V)

Drain-Source On-State Resistance ²(V_GS= 12V, 24.5A)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 600v, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 480V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

Amps

Ohms

R_DS(ON)

0.125

I_DSS

µA

250

±100

I_GSS

V_GS(TH)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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APL6535BI-TR	ANPEC	获取价格	Two-Channel Supervisory IC
APL6535BI-TRL	ANPEC	获取价格	Two-Channel Supervisory IC
APL6535BI-TU	ANPEC	获取价格	Two-Channel Supervisory IC
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