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AP9A128-12VM

更新时间: 2024-11-28 20:58:19
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 258K
描述
Cache SRAM, 32KX8, 12ns, CMOS, PDSO28

AP9A128-12VM 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:12 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J28
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

AP9A128-12VM 数据手册

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