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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.63 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.005 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9410GM-HF | A-POWER |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9410GMT-HF | A-POWER |
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Capable of 2.5V Gate Drive, SO-8 Compatible |
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| AP9412AGH | A-POWER |
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Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP9412AGI | A-POWER |
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Single Drive Requirement, Full Isolation Package |
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| AP9412AGM | A-POWER |
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Simple Drive Requirement, Ultra_Low On-resistance |
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| AP9412AGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Ultra_Low On-resistance |
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| AP9412AGP | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP9412BGM | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP9412BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Low On-resistance, Simple Drive Requirement |
|
| AP9412CGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Ultra_Low On-resistance, Simple Drive Requirement |
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