AP4959GM

更新时间： 2024-11-18 04:06:27

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4959GM 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	ROHS COMPLIANT, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	16 V	最大漏极电流 (ID)：	4.7 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4959GM 数据手册

AP4953D

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-30V

53mΩ

-5A

▼ Low On-resistance

▼ Fast Switching

PDIP-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-

effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 30

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

- 5

- 4

- 20

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

Storage Temperature Range

0.016

-55 to 150

W/℃

℃

T_STG

T_J

Operating Junction Temperature Range

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

62.5

Unit

Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200922031

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