AP4002T

更新时间： 2024-01-15 17:50:06

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富鼎先进 - A-POWER		晶体小信号场效应晶体管开关
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5页	109K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4002T 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	0.4 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4002T 数据手册

AP4002T

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ 100% Avalanche Test

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

600V

5Ω

▼ Fast Switching Characteristics

▼ Simple Drive Requirement

400mA

Description

Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to

achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and

cost-effectiveness device.

TO-92

The TO-92 package is widely used for commercial-industrial applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

600

Gate-Source Voltage

±30

I_D@T_L=25℃

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

400

P_D@T_L=25℃

Total Power Dissipation

0.017

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy²

W/℃

E_AS

I_AR

Avalanche Current

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

℃/W

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Maximum Thermal Resistance, Junction-lead

150

Rthj-l

Data & specifications subject to change without notice

201019072-1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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