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AP2301N

更新时间： 2024-01-11 21:13:29

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Surface Mount Device

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AP2301N 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.59
其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.13 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP2301N 数据手册

Product specification

AP2301N

Electrical Characteristics@T_j=25^oC(unless otherwise specified)

Symbol

BV_DSS

Parameter

Test Conditions

V_GS=0V, I_D=-250uA

Min. Typ. Max. Units

Drain-Source Breakdown Voltage

-20

-0.1

ΔBV_DSS/ΔT_j

Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, I_D=-1mA

Static Drain-Source On-Resistance²V_GS=-5V, I_D=-2.8A

V_GS=-2.8V, I_D=-2.0A

V/℃

R_DS(ON)

130 mΩ

190 mΩ

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

V_DS=V_GS, I_D=-250uA

V_DS=-5V, I_D=-2.8A

V_DS=-20V, V_GS=0V

V_DS=-16V, V_GS=0V

V_GS=±12V

-0.5

Forward Transconductance

Drain-Source Leakage Current (T=25^oC)

4.4

I_DSS

-1

Drain-Source Leakage Current (T=70^oC)

-10

I_GSS

Q_g

±100

Gate-Source Leakage

Total Gate Charge²

Gate-Source Charge

Gate-Drain ("Miller") Charge

Turn-on Delay Time²

Rise Time

I_D=-2.8A

5.2

1.36

0.6

5.2

9.7

295

170

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

V_DS=-6V

V_GS=-5V

V_DS=-15V

I_D=-1A

t_d(off)

t_f

Turn-off Delay Time

Fall Time

R_G=6Ω,V_GS=-10V

R_D=15Ω

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

V_GS=0V

V_DS=-6V

f=1.0MHz

Source-Drain Diode

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min. Typ. Max. Units

I_S

Continuous Source Current ( Body Diode )

Pulsed Source Current ( Body Diode )¹

Forward On Voltage²

V_D=V_G=0V , V_S=-1.2V

-1

I_SM

V_SD

-10

-1.2

T_j=25℃, I_S=-1.6A, V_GS=0V

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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